射频磁控溅射法制备　a-Si：H　薄膜，利用椭圆偏振光谱对不同气压下　a-Si：H　薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型，通过　Forouhi-Bloomer　模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合，获得450-850　nm　光谱区域的　a-Si：H　薄膜光学参数值。结果表明，随着工作气压增加，薄膜厚度增厚，沉积速率升高；相同工作气压下，随偏振光波长增大，折射率呈下降趋势；相同波长偏振光下，折射率随工作气压上升而下降，折射率变化范围在3.5-4.1；消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系，获得了薄膜的吸收谱，测算出不同工作气压下　a-Si：H　薄膜的光学带隙为1.63　eV-1.77　eV。