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介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺制作的具有温度补偿的时钟振荡器电路.从环形振荡器的基本原理出发,基于对CMOS工艺各种非理想性因素的分析,提出一种新型的工艺补偿电路,减小振荡器偏置电流随阈值电压的漂移;在延迟单元的设计中,引入NMOS交叉耦合对组成的交流负阻抗来进一步补偿PMOS迁移率随温度的变化,从而有效抑制输出频率随温度的变化.该振荡器电路用于MEMS加速度计读出电路芯片.样品电路测试结果表明,在-20～100℃温度范围内,时钟振荡器的频率仅变化38 kHz.
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