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[期刊论文]
石墨烯/NiAu复合透明导电层在GaN LED的应用
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通过溅射方法制备Ni/Au层,用作石墨烯和p型GaN之间的插入层来减小接触电势.研究了Ni和Au的厚度比与GaN LED性能的关系.结果表明,在1.5nm总厚度的条件下,Ni与Au厚度比为1nm/0.5nm时为最佳,可同时兼顾透光性能和良好欧姆接触,此时,石墨烯/NiAu复合透明导电层可以明显地降低GaN LED的工作电压,同时在蓝光波段具有很高的透光率,因而提高了GaN LED的发光性能.
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来源 ：
电子科技
ISSN： 1007-7820
年份： 2014
期： 2
卷： 27
页码： 109-111,137
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