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根据白光照明和可变换波长的光通信中对单芯片双波长发光二极管(LED)要求,在分析了反向偏置隧道结性质的基础上,设计了用反向偏置隧道结连接两个有源区的单芯片双波长LED,用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)在GaAs衬底上一次外延生长了同时发射两种波长的LED,其包含一个A1GaInP量子阱有源区和一个GaInP量子阱有源区,两个有源区由隧道结连接;通过后工艺制备了双波长LED器件,在20 mA电流注入下,可以同时发射626 nm和639 nm两种波长,光强是127 mcd,正向电压是4.17V.与传统的单有源区LED进行对比表明,双波长LED有较强的光强;对比单有源区LED的2.08 V正向电压,考虑到双波长LED包含隧道结和两个有源区,隧道结上的压降很小.
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