半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围，被认为是应变工程理想的研究材料，引起了人们广泛的关注。本研究中，利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切割出?100?取向的单根纳米线，在透射电子显微镜中利用纳米操控系统对其加载弯曲形变，同时实时监测其电流-电压曲线的变化，研究弯曲应变对其电学性能的影响。结果表明，随着应变的增大，纳米线输运性能明显增强，当应变接近2%时，输运性能随应变的提升接近饱和；当应变达到3%以后，输运性能有时会略微下降，这可能由塑形事件导致的。本实验结果可能会对Si应变工程起到重要的参考意义。