IGBT在实际应用中会频繁处于周期性的高低温循环过程,循环过程中反复作用于IGBT器件的热应力极易在焊料层形成空洞,从而导致器件热阻增大甚至热疲劳失效.通过有限元软件ANSYS建立了两种新的分散空洞模型,在工作功率条件下对比5％到50％中心空洞率及10％到20％分散空洞率模型的热分布并进行模拟分析.结果表明,边缘分散空洞对器件温升影响小于均匀分散空洞和中心空洞,但在温度循环中先于后者出现.空洞率为10％时,边缘分散空洞模型最高温升高了1.6K,与phase11和超声波显微镜实测IGBT器件功率循环5　000次后结果基本一致.