采用TSMC　0.18μm　CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1～10.6　GHz频段的超宽带低噪声放大器.该放大器分为两级:采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配.仿真结果表明,在3.1～10.6　GHz频带范围内,放大器增益为14.8　dB,增益平坦度为±0.6　dB,噪声系数介于2.9～4.5　dB,输入和输出的回波损耗均优于-11　dB,1　dB压缩点为-20.8　dBm,在1.8V电压下,静态功耗仅为8.99　mW.