高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响
作者：
收录：
摘要：
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响.本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2014，International Symposium on Photonics and Optoelectronics
2017，NANO LETTERS
2015，应用物理前沿：中英文版
2013，
来源 ：
红外技术
ISSN： 1001-8891
年份： 2014
期： 5
卷： 36
页码： 415-418
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 4
中文被引频次：
近30日浏览量： 3
归属院系：
全文获取
外部链接：
