利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的Alx　Ga1-x　N/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(　HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12　s(1　nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1500　cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16伊1013　cm-2。　AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。　HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。