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摘要：
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析。结果表明：基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜，其场发射性能得到显著提升，其场发射电流可以数量级增大。场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应。本研究结果表明，要获得优异性能场发射薄膜，合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑。
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