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摘要:

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz~5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA).LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配.利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz~5 GHz工作频段内,LNA获得了25 dB的增益可调范围,最高增益达到24 dB,输入端口反射系数小于-11 dB,输出端口反射系数小于-14 dB,最小噪声系数为2.3 dB,三阶交调点(ⅡP3)为4 dBm,在1.2V电压下,电路功耗仅为8.8 mW.

关键词:

CMOS 低噪声放大器 增益可调 超宽带

作者机构:

  • [ 1 ] [张卿远]北京工业大学
  • [ 2 ] [张万荣]北京工业大学
  • [ 3 ] [丁春宝]北京工业大学
  • [ 4 ] [邢光辉]北京工业大学
  • [ 5 ] [周孟龙]北京工业大学
  • [ 6 ] [高栋]北京工业大学
  • [ 7 ] [鲁东]北京工业大学
  • [ 8 ] [霍文娟]北京工业大学
  • [ 9 ] [邵翔鹏]北京工业大学

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来源 :

电子技术应用

ISSN: 0258-7998

年份: 2013

期: 8

卷: 39

页码: 33-36

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