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研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题.结果发现,器件漏电和抗静电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结短路.通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带ITO扩展层的LED器件的光提取效率提高了10％以上,抗静电能力提高了1.6倍,而且器件的漏电未受任何影响.
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