收录：
摘要：
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升,其场发射电流可以数量级增大.场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应.本研究结果表明,要获得优异性能场发射薄膜,合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑.
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
