采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪对薄膜进行表征分析。结果表明,退火温度高于450℃制备的样品出现了3个明显峰位28.52°,47.48°和56.20°,分别对应Cu2ZnSnS4(112)、(220)和(312)晶面,而且随着退火温度的升高样品在(112)方向择优取向生长。根据谢乐公式计算晶粒尺寸表明,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,薄膜质量改善。EDS分析显示,薄膜组分为贫Cu富Zn,制备的薄膜较为纯净。