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[期刊论文]
不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究
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双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加.工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强.由于离子注入前氧化层的影响,厚氧化层形成的浅发射结LPNP具有更少的注入损伤,界面态较少,同时具有高的表面杂质浓度,从而减少了辐照后发射区上方的SRH复合以及过剩基极电流的增加,提高了LPNP双极晶体管的抗辐照性能.
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来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2013
期： 4
卷： 43
页码： 564-567
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