请登录 >
English| 简体中文| 繁体中文

  • 综合
  • 标题
  • 关键词
  • 摘要
  • 学者
  • 期刊-刊名
  • 期刊-ISSN
  • 会议名称
搜索

高级检索

作者：

孙沛 (孙沛.) | 李建军 (李建军.) | 邓军 (邓军.) | 韩军 (韩军.) | 马凌云 (马凌云.) | 刘涛 (刘涛.)

收录：

CQVIP PKU CSCD

摘要：

用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low　press-metalorganic　chemical　vapor　deposition)外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键,找到合适的生长温度窗口很有必要.实验中分别在700C,680C,670C和660C的条件下生长出作为发光二极管有源区的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)多量子阱结构,通过PL谱的测试对比分析,找出最佳生长温度在670C附近.之后对比各外延片的PL谱、表面形貌,并对反...

关键词：

AlGaInP MOCVD 温度

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学电子信息与控制工程控学院
  • [ 2 ] 光电子技术省部共建教育部重点实验室

通讯作者信息：

电子邮件地址：

查看成果更多字段

相关关键词：

相关文章：

来源 ：

物理学报

年份： 2013

期： 02

卷： 62

页码： 510-514

被引次数：

WoS核心集被引频次： 0

SCOPUS被引频次：

ESI高被引论文在榜： 0 展开所有

万方被引频次：

中文被引频次：

近30日浏览量： 0

归属院系：

全文获取

图书馆发现搜索 百度学术搜索 中国知网
在线人数/总访问数：72/3270115
地址：北京工业大学图书馆(北京市朝阳区平乐园100号 邮编：100124) 联系我们：010-67392185
版权所有：北京工业大学图书馆 站点建设与维护：北京爱琴海乐之技术有限公司