分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP　(Inductively　Couple　Plasma)刻蚀.结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2　mTorr气压下,RF功率为50　W,SiCl4流量为3　sccm,Ar　为9　sccm　时,刻蚀速率为100　nm/min,且与材料的掺杂浓度无关.实验还表明,SiCl4/Ar　作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但　Ar　的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用　Cl2/Ar　作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100　nm/min,但　Ar　流量对刻蚀速率有影响:当　Ar　流量小于3　sccm　时,刻蚀速率随　Ar　流量的减小而明显降低.