收录：
摘要：
在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题.本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响.通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因.并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出～12V的四串联高压LED阵列器件.
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
