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吴立成 (吴立成.) | 吴郁 (吴郁.) | 魏峰 (魏峰.) | 贾云鹏 (贾云鹏.) | 胡冬青 (胡冬青.) | 金锐 (金锐.) | 查祎影 (查祎影.)

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摘要:

动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优.为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用p+/p阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区.仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解.

关键词:

动态雪崩 快恢复二极管 电流丝 终端结构

作者机构:

  • [ 1 ] [吴立成]北京工业大学
  • [ 2 ] [吴郁]北京工业大学
  • [ 3 ] [魏峰]北京工业大学
  • [ 4 ] [贾云鹏]北京工业大学
  • [ 5 ] [胡冬青]北京工业大学
  • [ 6 ] [金锐]国网智能院电工新材料及微电子研究所
  • [ 7 ] [查祎影]北京工业大学

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来源 :

电子科技

ISSN: 1007-7820

年份: 2013

期: 10

卷: 26

页码: 98-100,104

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