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通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征.发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9％Sb和GeTe-21％Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58％ Sb,GeTe-72％Sb和GeTe-81.5％ Sb呈Sb型菱方结构.在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反.原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9％ Sb是典型的形核主导,而GeTe-72％Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制.
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