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采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料.研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响.AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1680 cm2/Vs、方块电阻低至310 Ω,体现了HEMT材料良好的电学性能.原子力显微镜和高分辨X射线衍射测试结果显示HEMT材料具有较好的表面形貌和异质结界面,较好的异质结界面也有利于增强HEMT材料的二维电子气浓度和迁移率.
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