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[期刊论文]

AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响

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Author:

邓旭光 (邓旭光.) | 韩军 (韩军.) | 邢艳辉 (邢艳辉.) | Unfold

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜.采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响.对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大.对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱.GaN的(0002)ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降.(10-12)ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,AlN成核层的厚度较大时会降低刃型穿透位错密度,并减弱c轴方向的压应变状态.

Keyword:

Si衬底 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) GaN AlN成核层

Author Community:

  • [ 1 ] [邓旭光]北京工业大学
  • [ 2 ] [韩军]北京工业大学
  • [ 3 ] [邢艳辉]北京工业大学
  • [ 4 ] [汪加兴]北京工业大学
  • [ 5 ] [范亚明]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • [ 6 ] [陈翔]北京工业大学
  • [ 7 ] [李影智]北京工业大学
  • [ 8 ] [朱建军]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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Source :

光电子·激光

ISSN: 1005-0086

Year: 2013

Issue: 7

Volume: 24

Page: 1338-1343

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WoS CC Cited Count: 0

WanFang Cited Count: 3

30 Days PV: 3

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