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H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

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作者:

邓旭光 (邓旭光.) | 韩军 (韩军.) | 邢艳辉 (邢艳辉.) | 展开

收录:

CQVIP PKU CSCD

摘要:

在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。...

关键词:

AlN缓冲层 金属有机化学气相沉积 H2载气 氮化镓(GaN) Si衬底

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室
  • [ 2 ] 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室

通讯作者信息:

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来源 :

发光学报

年份: 2013

期: 06

卷: 34

页码: 776-781

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