研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LED在20　mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284　V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210　V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20　mA下的光功率分别提高了10.20%、12.19%和11.49%。这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还...