仿真研究了垂直侧壁槽(Type1)和梯形侧壁槽(Type2和Type3)600V超结金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)击穿电压随电荷失衡的变化关系.在p柱、n柱均匀掺杂条件下,Type1具有最高峰值击穿电压,出现在p柱、n柱掺杂浓度相等条件下；Type2具有最低峰值击穿电压,出现在p柱掺杂浓度略低于n柱掺杂浓度条件下；Type3的峰值击穿电压高于Type2,但击穿电压对电荷失衡敏感度最高.p柱采用高斯分布,可使梯形侧壁槽结构超结MOSFET的峰值击穿电压达到与垂直槽结构相当的结果.且击穿电压对电荷失衡敏感度与结构有关:Type2在p柱浓度欠补偿,Type3在p柱浓度过补偿情况下更利于工艺控制.