We　prepared　a　series　of　(In2O3)(x)(Ga2O3)(y)(ZnO)(1-x-y)　(0.7　＜=　x　＜=　0.8,　0.05　＜=　y　＜=　0.15)　(IGZO)　thin　films　using　the　pulsed　laser　deposition　(PLD)　method　at　room　temperature　under　same　oxygen　pressure.　The　structural,　optical　and　electrical　properties　of　the　grown　films　were　measured　by　various　diagnosis　tools.　X-ray　diffraction　(XRD)　patterns　show　that　the　mixing　phase　of　crystalline　and　amorphous　appears　in　the　film　with　low　In2O3　contents,　and　a　completely　amorphous　phase　appears　in　(In2O3)(x)(Ga2O3)(y)(ZnO)(1-x-y)　(0.75　＜=　x)　thin　films　with　high　In2O3　content.　The　maximum　carrier　mobility　was　found　to　be　30　cm(2)　V-1　s(-1)　in　thin　film　with　the　(In2O3)(x　=　0.8)　content.　The　transmitted　spectrum　shows　that　thin　films　with　the　(In2O3)(x　=　0.8)　content　exhibit　better　light　transmission　and　narrow　band　gap.　These　amorphous　IGZO　thin　films　with　high　mobility　and　transparency　are　highly　desirable　for　device　fabrication　on　flexible　substrates.　Crown　Copyright　(C)　2013　Published　by　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.