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新型低介低损耗BaTiSi_2O_7微波介质陶瓷研究
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BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗。采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷。X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构。同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1kHz～1GHz频率范围内为8～10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料。
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来源 ：
稀有金属材料与工程
年份： 2013
期： S1
卷： 42
页码： 189-192
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