详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington-Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC　0.35　μm　SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA).该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington-Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度.LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5～20　dB,增益平坦度为±0.25dB;输入、输出匹配良好；线性度为-5　～-2dBm；在整个频段内,无条件稳定.