利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl　methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模.最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层.通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件.测量了器件的光强、光功率以及Ⅰ-Ⅴ曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3％.