采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法并用的腐蚀方法.采用传输矩阵法理论分析了DDBR,得出了为满足出光增益要求的反射率和DDBR结构.使用光致发光(PL)谱仪测量分析了DDBR反射谱和光致发光谱,获得了使光致发光谱辐射增强的DDBR结构,在整个光致发光谱380-780　nm波段,整体辐射增强1.058倍,在谐振波长处辐射增强1.5倍,半峰全宽值由23　nm变窄为10.5nm,获得了很好的光谱纯度.利用最优DDBR结构制成了高性能共振腔发光二极管器件,与普通结构相比,实现了低开启电压...