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悬浮区域熔炼法制备REB_6(LaB_6、CeB_6)单晶体及其表征
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采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速度15～20mm/h,一次区熔。然后对晶体进行表征,主要方法有单晶衍射、断面扫描、拉曼衍射、摇摆曲线。由此可知悬浮区域熔炼法是制备高质量、高纯度、大尺寸REB6的最佳方法。
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来源 ：
功能材料
年份： 2012
期： 02
卷： 43
页码： 178-180,184
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材料与制造学部 材料科学与工程学院
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