采用Cl2/Ar感应耦合等离子体（ICP）对单晶硅进行了刻蚀，工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响，同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明，由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响，硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低，同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小，选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中，离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时，文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响，结果表明，通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下，压强改变对于硅刻蚀形貌的影响，发现通过降低压强，可以明显地抑制杂草的产生。