研究有源器件SiGeHBT的几何参数对单片低噪声放大器（LNA）噪声性能的影响．基于0．35μmSiGeBiCMOS工艺，研制了4款采用不同几何参数的SiGeHBTLNA．实验结果显示，在给定的偏置条件下，当发射极宽长比较小时，小范围改变发射极宽度对噪声系数（NF）改善微弱，但适当增长发射极条长和增加发射极条数明显降低了NF，且不牺牲增益．另外，与采用其他几何尺寸的SiGeHBTLNAs相比，选用器件发射极面积为AE=4μm×40μm×4的LNA性能最优，在0．2～1．2GHz内获得低至2．7dB的噪声系数，高达26．7dB的相关增益和最接近于50Q的最佳噪声源阻抗．由于没有使用占片面积大的电感，放大器芯片面积仅为0．2mm2．