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电流主动导引结构倒装AlGaInP LED
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设计并制备了一种带有电流导引结构的新型倒装AlGaInP LED.实验结果表明,在20 mA直流电流注入下,器件的电压为2.19V,输出光功率与普通倒装器件相比提高了17.33％.通过电流导引结构,使得器件注入电流被主动引导到电极以外部分,有效增大了上电极以外部分有源区中用于发光的有效载流子数目的比例,同时减轻了电流密度过大现象,大大提高了器件的出光效率.
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2012，光学学报
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来源 ：
光学学报
ISSN： 0253-2239
年份： 2012
期： 7
卷： 32
页码： 242-245
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