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MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究
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利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232＂。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。
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来源 ：
光电子.激光
年份： 2012
期： 04
卷： 23
页码： 708-711
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