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衬底温度对Cu_2O薄膜结构和性能的影响
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采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜。系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点。电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV。
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来源 ：
人工晶体学报
年份： 2012
期： 02
卷： 41
页码： 457-460,467
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材料与制造学部 材料科学与工程学院
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