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[期刊论文]
GaN薄膜电子声成像和电子背散射衍射研究
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采用扫描电声显微镜(SEAM)和电子背散射衍射(EBSD)对异质外延在Al2O3衬底上GaN界面区域成像测试分析。异质外延失配应力导致在Al2O3和GaN界面附近的微区晶格畸变在SEAM的声成像中可以清楚看到,而且受应力影响集中区域的微区衬度差异明显。利用EBSD色带图及质量参数分析了失配应力变化,晶格应变和弹性形变在200nm内可以得到释放。
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来源 ：
光电子.激光
年份： 2012
期： 10
卷： 23
页码： 1909-1912
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