利用FIB(Focused　Ion　Beam)将发生氧化的稀土相ErSn3剖开,研究其表面Sn晶须的生长机制。结果表明:时效过程中稀土相ErSn3发生了不均匀氧化,在其内部形成了大量的＂快速氧化通道＂及＂氧化区＂。由于在Sn晶须的根部及附近同时存在两个＂氧化区＂,且它们通过＂快速氧化通道＂相连。因此,提出了Sn晶须生长的＂双压应力区＂模型,即Sn晶须的生长需要形成两个压应力区,其根部的＂低压应力区＂将为Sn晶须的形成提供驱动力,而＂高压应力区＂将为Sn晶须的生长提供Sn原子。