高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
掩膜对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响
作者：
收录：
摘要：
结合刻蚀GaAs基光子晶体在光子晶体垂直腔面发射激光器中的应用,研究了光刻胶、SiO2掩膜的特性以及对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响,并分析了ICP刻蚀小尺寸光子晶体时,造成底面凹凸不平、侧壁粗糙、垂直度差的原因.最后,调整工艺条件,利用BP212-7CP光刻胶做掩膜,成功制作了直径为1.2～4.0μm、深度为1.5μm的侧壁光滑垂直、底面平整的高质量光子晶体结构.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2012，电子科技
2004，4th International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology
2014，应用激光
2004，应用光学
来源 ：
纳米技术与精密工程
ISSN： 1672-6030
年份： 2011
期： 3
卷： 09
页码： 279-282
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： -1
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
信息学部
全文获取
外部链接：
