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摘要：
众所周知,基区＂能带工程＂可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但＂能带工程＂对HBT热学特性的影响的研究还很少.本文基于三维热电反馈模型,分析了＂能带工程＂对射频功率SiGe HBT热性能的影响.考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性.研究发现,随基区Ge组分的增加,芯片表面温度降低,这是SiGe HBT内部产生了热电负反馈效应的结果.在相同的耗散功率下,随着基区Ge组分的增加,器件热稳定所需的镇流电阻减小.这些结果对器件的热学设计具有重要的参考意义,也有利于改善器件的饱和压降、功率增益、频率特性等整体性能.
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