高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算
作者：
收录：
摘要：
为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2010，光学学报
2012，中国激光
2009，中国科技信息
2005，半导体光电
来源 ：
北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
年份： 2011
期： 4
卷： 37
页码： 565-569
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 11
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
理学部
全文获取
外部链接：
