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采用区域熔炼法成功制备出了高质量,高纯度,大尺寸的LaB6单晶体.系统分析了制备过程中每个参数对LaB6单晶生长的影响,确定了晶体生长最佳工艺为：样品转速为30r/min,生长速度为8—10mm/h.分析了单晶LaB6（100）晶面的热电子发射性能,结果表明,当阴极温度为1873K时,最大热发射电流密度为44.36A/cm2;利用Richardson直线法求出了绝对零度逸出功和有效逸出功分别为1.99和2.59eV.场发射测试结果表明,单晶LaB6场发射单尖最大场发射电流密度达到4.9×106A/cm2,场发射因子为41500cm-1,表现出良好的场发射性能.因此单晶LaB6作为热阴极和冷阴极都具有很广阔的应用前景.
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