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GaAs基半导体激光器热特性
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对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原因是有源区载流子非辐射复合增加,引起激光器有源区温度上升,从而说明电学法热特性测试是检测激光器退化的有效方法之一,为进一步提高激光器的热管理技术和改善其热特性奠定了一定的基础.
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来源 ：
红外与激光工程
ISSN： 1007-2276
年份： 2011
期： 11
卷： 40
页码： 2134-2137
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