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用于IGBT薄片技术的激光热退火深度熔化激活
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本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1.5cm×1.5cm的区域,采用了大功率紫外激光器。它可以改进600V-1200V范围IGBT和二极管薄片技术的制造工艺。薄片工艺是进一步缩小芯片厚度,降低通态压降和开关损耗的重要步骤。
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来源 ：
电力电子
年份： 2011
期： 03
卷： 9
页码： 47-49,33
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