High　purity　Ga2O3,　In2O3,　and　ZnO　powders　were　weighted　at　a　molar　ratio　of　1:　8:　1,　and　then　InGaZnO　(IGZO)　ceramic　target　was　fabricated　by　conventional　solid　state　reaction　method　in　air.　IGZO　thin　films　were　subsequently　prepared　by　pulsed　laser　deposition　(PLD)　method　under　different　pressures　at　room　temperature.　The　structural　and　physical　properties　of　the　as-grown　films　were　diagnosed　by　various　tools.　It　was　confirmed　that　all　the　films　exhibited　amorphous　structure.　With　the　increase　of　oxygen　pressure　from　1.0　Pa　to　15.0　Pa,　surface　roughness　of　IGZO　films　increased　from　0.60　nm　to　1.82　nm.　The　sample　deposited　under　10.0　Pa　oxygen　partial　pressure　had　a　maximum　carrier　mobility　of　28.6　cm(2)/(V.s),　a　minimum　resistivity　of　5.57　x　10(-4)　Omega　cm,　and　a　highest　carrier　concentration　of　3.95　x　10(20)　cm(-3).　(C)　2011　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.