高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
作者：
收录：
摘要：
针对传统多指SiGe HBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGe HBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性.利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况.结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGe HBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2007，2007年全国微波毫米波会议
2008，微电子学
2011，北京工业大学学报
2010，微电子学
来源 ：
电子器件
ISSN： 1005-9490
年份： 2010
期： 6
卷： 33
页码： 680-683
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 2
中文被引频次：
近30日浏览量： 3
归属院系：
全文获取
外部链接：
