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横向微堆积大功率半导体激光器线阵的制备
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提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD)。制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50A的工作电流下,其输出光功率可达到79.3W,斜率效率可达1.81W/A,是传统单有源区bar条的两倍多。
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来源 ：
半导体光电
年份： 2010
期： 01
卷： 31
页码： 20-22,100
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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