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李莉 (李莉.) | 于忠臣 (于忠臣.) | 柏璐 (柏璐.)

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摘要:

多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成.为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战.文中以一款基于SMIC 0.13um工艺的OSD显示芯片为例,从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了多片SRAM的MBIST设计,提出了一种可实现多片SRAM的快速高效可测试设计实现方法.

关键词:

MBIST 可测试设计 多片嵌入式SRAM

作者机构:

  • [ 1 ] [李莉]北京工业大学
  • [ 2 ] [于忠臣]北京工业大学
  • [ 3 ] [柏璐]北京工业大学

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来源 :

电子元器件应用

ISSN: 1563-4795

年份: 2010

期: 7

卷: 12

页码: 29-31

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