利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP_2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP_2Mg]/[TMGa])在1.4×10~(-3)-2.5×10~(-3)范围内,随[CP_2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP_2Mg]/[TMGa]为2.5×10~(-3)时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用[CP_2Mg]/[TMGa]为2.5×10~(-3)的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20　mA时,输出光强提高了17.2%.