收录：
摘要：
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy(Si)的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因.然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释.试验结果表明:γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω.在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复.高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平.
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
